일시 | 2023년 4월 26일(수) 13:00~17:30 |
장소 | 코엑스 컨퍼런스룸 307호 |
시 간 | 주 제 | 발표자 |
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13:00-13:40 (40’) | 와이드밴드갭 반도체의 기술개발 및 산업동향 | 신훈규 교수 POSTEC 나노융합기술원/연구소장 |
13:40-14:15 (35’) |
중전압 GaN HEMT (EcoGaN™)와 게이트 드라이버 기술 이해하기 Mid-Voltage GaN HEMT (EcoGaN™) and Gate Driving Technology |
김효수 수석연구원 로옴 세미컨덕터 코리아 테크니컬 센터 |
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14:15~14:30 (15’) | 휴식 시간 | |
14:30~15:10 (40’) |
고효율 GaN 전력반도체 기술현황 및 상용화 사례 |
문재경 책임 ETRI RF 전력부품연구실 |
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15:10~15:45 (35’) | GaN 기술이 컨슈머용 AD/DC 전원 공급에서 가지는 장점 | 노재현 상무 (FAE Manager) 텍사스 인스트루먼트(TI) 코리아 |
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15:45~16:00 (15’) | 휴식 시간 | |
16:00-16:40 (40’) |
국내외 SiC 전력반도체 기술 개발 동향 및 시장 현황 |
김형우 센터장 한국전기연구원 전력반도체연구단 |
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16:40~16:50 (10’) | 휴식 시간 | |
16:50-17:30 (40') |
산화갈륨 전력반도체 기술 동향 및 전망 |
경신수 연구소장 파워큐브세미(주) |
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시 간 | 발표 제목 |
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13:00-13:40 (40’) | 와이드밴드갭 반도체의 기술개발 및 산업동향 신훈규 교수,POSTEC 나노융합기술원/연구소장 |
13:40-14:15 (35’) |
중전압 GaN HEMT (EcoGaN™)와 게이트 드라이버 기술 이해하기 Mid-Voltage GaN HEMT (EcoGaN™) and Gate Driving Technology 로옴 세미컨덕터 코리아 테크니컬 센터 |
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14:30~15:10 (40’) | 고효율 GaN 전력반도체 기술현황 및 상용화 사례 문재경 책임, ETRI RF 전력부품연구실 |
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15:10~15:45 (35’) | GaN 기술이 컨슈머용 AD/DC 전원 공급에서 가지는 장점 노재현 상무 (FAE Manager), 텍사스 인스트루먼트(TI) 코리아 |
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16:00-16:40 (40’) | 국내외 SiC 전력반도체 기술 개발 동향 및 시장 현황 김형우 센터장, 한국전기연구원 전력반도체연구단 |
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16:40-17:20 (40') | 산화갈륨 전력반도체 기술 동향 및 전망 경신수 연구소장, 파워큐브세미(주) |
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